對高達110 GHz的三維結構進行高頻特性測量

9月26日，在歐洲微波大會(EuMC)上，存儲器解決方案領域的全球領導者Kioxia Corporation和領先的建模和設計技術開發(fā)商MoDeCH Inc.宣布開發(fā)業(yè)界首個探測系統(tǒng)，用于對高達110 GHz的三維(3D)物體進行高頻特性測量(1)。

在過去，數(shù)據中心的固態(tài)硬盤(SSD)會被插入處理器主板上的高速接口連接器。在這種情況下，PCIe®等高速接口的傳輸線采用3D結構，通過正交卡邊緣連接器從處理器的主板延伸到SSD中的印刷電路板(PCB)（圖1）。這種3D結構的高頻特性通常通過模擬來評估。借助新開發(fā)的3D探測系統(tǒng)，現(xiàn)在首次可以直接測量高達110 GHz的3D結構的特性。

Kioxia和MoDeCH開發(fā)了一個3D探針臺來測量3D結構的高頻特性（圖2）。該探針臺包含一個內置機構，該機構將高頻探頭和擴頻器一起旋轉，與3D結構接觸以進行測量。

此外，兩家公司還為單個3D結構開發(fā)了通孔標準（圖3），以準確測量高頻特性。為了評估垂直彎曲的3D結構，在柔性基板上創(chuàng)建了一個通孔，該基板使用夾具垂直彎曲并固定到位以創(chuàng)建標準通孔。

新開發(fā)的3D探測系統(tǒng)使用開發(fā)的3D探測系統(tǒng)和3D結構的通孔標準，成功測量了使用正交連接器連接的兩塊PCB上高達110 GHz的兩條傳輸線的高頻特性（圖4）。

這項行業(yè)首創(chuàng)的開發(fā)是日本新能源產業(yè)技術綜合開發(fā)機構(NEDO)委托的“后5G信息和通信系統(tǒng)增強型基礎設施研發(fā)項目”(JPNP 20017)的成果。

注

1. Y. Sakuraba等，“用于三維物體S參數(shù)測量的110 GHz探測系統(tǒng)”(A 110-GHz Probing System for S-parameter Measurements of Three-Dimensional Objects)，2024年歐洲微波大會(EuMC 2024)，EuMC46-4

本新聞稿中使用的圖片來自該論文。

* 所有公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

關于MoDeCH

MoDeCH是一家面向電子行業(yè)的建模和設計技術開發(fā)商。該公司提供電子元件的模型創(chuàng)建、半導體和無源器件建模、電路設計支持和分析并開發(fā)測量軟件，從而幫助企業(yè)實現(xiàn)制造服務的數(shù)字化。

關于Kioxia

Kioxia是全球存儲器解決方案領域的領軍企業(yè)，致力于閃存和固態(tài)硬盤(SSD)的開發(fā)、生產和銷售。其前身是Toshiba Memory，于2017年4月從1987年發(fā)明了NAND閃存的公司Toshiba Corporation剝離出來。Kioxia致力于通過提供產品、服務和系統(tǒng)來為客戶創(chuàng)造選擇，并為社會創(chuàng)造基于存儲技術的價值，從而提升世界的“記憶”。Kioxia創(chuàng)新的3D閃存技術BiCS FLASH™正在塑造存儲技術在高密度應用領域（包括高級智能手機、PC、SSD、汽車和數(shù)據中心）的未來。