Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")發(fā)布了一款100V N溝道功率MOSFET產品“TPH3R10AQM”。該產品采用了東芝最新一代工藝U-MOS X-H制造，面向用于數(shù)據(jù)中心和通信基站的工業(yè)設備，目標應用包括這些工業(yè)設備供電線路上的開關電路和熱插拔電路[1]。新品即日起開始發(fā)貨。
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TPH3R10AQM的最大漏源電阻僅有3.1mΩ，達到業(yè)界領先水平[2]，比Toshiba使用前一代工藝制造的100V產品“TPH3R70APL”的電阻低16%[2]。兩者相比，TPH3R10AQM將安全工作區(qū)域擴大76%[3]，使其適合在線性模式下工作。減小導通電阻并擴大安全工作區(qū)域的線性工作范圍可以減少器件的并聯(lián)數(shù)量。此外，其門極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V，降低了由于門極電壓噪聲引發(fā)故障的可能性。
這款新產品采用了具備高度封裝兼容性的SOP Advance(N)封裝。
Toshiba將繼續(xù)擴大能夠通過減少損耗提高電源效率，并且有助于降低設備功率消耗的功率MOSFET產品線。
應用
通信設備的供電，如數(shù)據(jù)中心和通信基站的設備
開關電源（高效DC-DC轉換器等）
特點
業(yè)界領先的[2] 出色低導通電阻：RDS(ON)=3.1mΩ（最大值）(VGS=10V)
寬安全工作區(qū)域
高溝道溫度等級：Tch（最大值）=175°C
注釋：
[1] 在設備運行時，該電路無需關閉系統(tǒng)就可以控制元件和系統(tǒng)的連接與斷開。
[2] Toshiba 2023年6月的調查結果。
[3] 脈沖寬度：tw=10ms，VDS=48V
主要規(guī)格
（除非另有說明，Ta=25°C）
產品型號
TPH3R10AQM
絕對最大額定值
漏源極電壓VDSS (V)
100
漏極電流(DC) ID (A)
Tc=25°C
120
溝道溫度Tch (°C)
175
電氣特性
源漏極導通電阻RDS(ON)
最大值(mΩ)
VGS=10V
3.1
VGS=6V
6.0
總柵極電荷（柵源加柵漏）Qg典型值(nC)
83
柵極開關電荷Qsw典型值(nC)
32
輸出電荷Qoss典型值(nC)
88
輸入電容Ciss典型值(pF)
5180
封裝
名稱
SOP Advance(N)
尺寸典型值(mm)
4.9×6.1
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